стань автором. присоединяйся к сообществу!
  •  © niiet.ru

    07.04.2023

    Воронежский НИИ электронной техники сообщает о начале приема заказов на серийно выпускаемые силовые транзисторы серии ТНГ-К на основе нитрида галлия в металлокерамических и пластиковых корпусах.

    Нитрид-галлиевая технология — одно из наиболее перспективных и быстроразвивающихся направлений в силовой и СВЧ-электронике в мире. Причина этого заложена в свойствах нитрида галлия, значительно превосходящего традиционный для полупроводниковой промышленности кремний по ряду ключевых параметров, таких как ширина запрещенной зоны, критическая напряженность поля и дрейфовая скорость насыщения электронов. Благодаря этому GaN-транзисторы могут работать при более высоких температурах, на более высоких частотах, с большей плотностью мощности и энергоэффективностью, чем кремниевые.

    читать дальше

    АО «Протон-Электротекс» (г. Орел) дополнительно инвестирует порядка 300 млн рублей в разработку и производство импортозамещающих силовых полупроводниковых IGBT-модулей, широко используемых в преобразовательной технике.

    «К настоящему моменту компания инвестировала в направление данных IGBT-модулей порядка 250 млн рублей и до 2022 года планирует вложить еще около 300 млн рублей», — сообщили в компании.

    С 2014 года предприятие проводит научно- исследовательские и опытно-конструкторские работы по новой продукции — IGBT-модули. К настоящему моменту подготовлено современное производство и с 2016 года начат серийный выпуск нескольких линеек IGBT-модулей. Также, в разработке находятся еще четыре типа продукции и составлена дорожная карта по разработке и освоению производства новых модулей до 2022 года.

    IGBT модули является «сердцем» любого современного мощного преобразователя энергии, которые применяются во многих отраслях промышленности, а именно в электроприводе, карьерной спецтехнике, электротранспорте, традиционной и «зеленой» энергетике.

    «Все указанные отрасли в мире растут опережающими темпами. Однако, в настоящее время рынок РФ более чем на 95% насыщен IGBT модулями иностранного производства», — пояснили на предприятии.

    читать дальше